МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ “ЛЬВівСЬКА ПОЛІТЕХНІКА”
Курсова робота з твердотільної електроніки на тему: «РОЗРАХУНОК БЕЗДРЕЙФОВОГО БІПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА» Виконала: ст.гр.ЕЛ-3 Прийняв: Львів-2007  В С Т У П Курсова робота з курсу “Твердотільна електроніка” виконується студентами ІІІ-го курсу базового напрямку 6.0908 “Електроніка” на протязі V-го семестру. Виконання курсової роботи ставить своєю метою закріпити і розширити теоретичні знання, отримані студентами з курсу “Твердотільна електроніка”, розвинути вміння використовувати ці знання при вирішенні конкретних науково-конструкторських задач. При виконанні курсової роботи студенти повинні проявити вміння користуватись методами аналізу і розрахунку напівпровідникових біполярних приладів, вміння використовувати літературні джерела і довідкові матеріали. Тематика курсових робіт включає наступні напрямки: 1) розрахункові роботи, присвячені числовим розрахункам параметрів і характеристик біполярних напівпровідникових приладів, визначенню і аналізу залежностей параметрів приладів від зовнішніх умов, конструктивних особливостей і режимів роботи; 2) експериментальні роботи присвячені розробці і створенню лабораторних макетів та установок для визначення параметрів і характеристик напівпровідникових приладів. Завдання і вихідні дані для розрахунку напівпровідникових приладів з курсової роботи видаються викладачем – керівником курсової роботи на протязі першого тижня V-го семестру. Курсова робота є підсумковою роботою, при виконанні якої перевіряється вміння самостійно використовувати студентами отриманих знань при вивченні відповідних розділів курсу, який супроводжується лекційними, практичними і лабораторними заняттями. Для успішного засвоєння курсу “Твердотільна електроніка” необхідно мати знання з основ фізики напівпровідників і діелектриків, які розглядаються в попередніх дисциплінах “Фізика напівпровідників та діелектриків” та інші. В методичних вказівках до виконання курсової роботи описані основні вимоги, які необхідно знати студентам при оформленні тексту пояснювальної записки курсової роботи. Приведені методики розрахунку і елементи конструювання біполярних напівпровідникових приладів, а також наведені довідкові дані для типових матеріалів, які найбільше використовуються для створення біполярних напівпровідникових приладів. 1. Розрахунок НАПІВПРОВІДНИКОВОГО ДІОДА В СТАТИЧНОМУ І ДИНАМІЧНОМУ РЕЖИМАХ 1.1. Завдання до курсової роботи з розрахунку напівпровідникового діода в статичному і динамічному режимах В завданні до курсової роботи вказується: структура напівпровідникового діода; конструктивні особливості напівпровідникового діода; геометричні розміри елементів діода; електрофізичні параметри елементів діода; перелік параметрів і характеристик, які необхідно розрахувати при виконанні курсової роботи. 1.1.1. Структура напівпровідникового діода Пiд напiвпровiдниковим дiодом будемо розумiти напiвпровiдниковий прилад, що складається з випрямляючого переходу i двох омiчних контактiв, за допомогою яких перехiд пiд'єднується до електричної схеми. Випрямляючим переходом може бути електронно-дiрковий перехiд (p-n-перехiд), гетероперехiд або випрямляючий перехiд, утворений на контактi метал-напiвпровiдник (бар'єр Шотткi). Здебiльшого напiвпровiдниковi дiоди мають несиметричнi p-n-переходи (p+-n або p – n+-переходи). Пiд час прикладання зовнiшньої напруги, за якої знижується потенцiйний бар'єр, тобто пiд час прямого увiмкнення p-n-переходу, кiлькiсть носiїв заряду, iнжектованих iз сильнолегованої в слаболеговану область, значно вища вiд кiлькостi носiїв, що проходять в протилежному напрямку. Вiдповiдно, область напiвпровiдникового дiода, в яку проходить iнжекцiя неосновних для цiєї областi носiїв заряду, називають базою дiода. Пiд час зворотного увiмкнення дiода спостерiгається пiдвищення потенцiйного бар'єра в p-n-переходi, екстракцiя неосновних носiїв заряду ...